A
R
C
H
I
V
E
I
N
F
O
R
M
A
T
I
O
N
A
R
C
H
I
V
E
I
N
F
O
R
M
A
T
I
O
N
MRF5S19090HR3 MRF5S19090HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
ηD
6
16
1860
1880 1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040 2060 2080
--60
40
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2--Carrier N--CDMA Broadband Performance
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
--50
--10
--20
--30
--40
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
VDD
= 28 Vdc, Pout
= 18 W (Avg.), IDQ
= 850 mA
2--Carrier N--CDMA, 2.5 MHz Carrier Spacing
1.2288 MHz Channel Bandwidth
PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
14
30
12
20
10
--20
8
--40
0
100
12
17
1
1100 mA
IDQ
= 1300 mA
850 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
= 28 Vdc
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
Two--Tone Measurement, 2.5 MHz Tone Spacing
650 mA
450 mA
10
16
15
14
13
100
--55
--15
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
IMD, THIRD ORDER
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
1100 mA
1300 mA
850 mA
VDD
= 28 Vdc
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
Two--Tone Measurement, 2.5 MHz Tone Spacing
650 mA
IDQ
= 450 mA
10
--20
--25
--30
--35
--40
--45
--50
10
--55
--25
0.1
7th Order
TWO--TONE SPACING (MHz)
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD,
VDD
= 28 Vdc, Pout
= 90 W (PEP), IDQ
= 850 mA
--30
--35
--40
--45
--50
1
5th Order
3rd Order
42
45
56
31
P3dB = 51.21 dBm (132.13 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 7. Pulse CW Output Power versus
Input Power
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
VDD
= 28 Vdc, IDQ
= 850 mA
Pulsed CW, 8
μsec(on), 1 msec(off)
f = 1960 MHz
41
P1dB = 50.82 dBm (120.78 W)
Ideal
Actual
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
32 33 34 35 36 37 38 39 40
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1960 MHz
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
MRF5S19100HSR5
MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S
MRF5S19130HSR5
MOSFET RF N-CHAN 28V 26W NI-880S
MRF5S19150HSR5
MOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880S
MRF5S21045MR1
MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-4
MRF5S21045NR1
MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-4
MRF5S21090HSR5
MOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780S
MRF5S21100HSR5
MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S
MRF5S21130HSR5
MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-880S
相关代理商/技术参数
MRF5S19090LR3
制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF5S19090LSR3
制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF5S19100HD
制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19100HR
制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRF5S19100HR3
功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S19100HR5
功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S19100HSR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 LDMOS NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S19100HSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 LDMOS NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray